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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-8 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 55 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-8 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-S-19500/180D | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1.25 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1484 | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 2N1484 | MICROSEMI |
完全替代 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N1485 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1485 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
|
| JANTX2N1486 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1488 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
|
| JANTX2N1490 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
|
| JANTX2N1613 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JANTX2N1613 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1613L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1711 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JANTX2N1711 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
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