5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 15 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/240J |
| 最大重复峰值反向电压： | 225 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N645-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, MICRO MINI |
|
| JANTX1N645-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 225V V(RRM), Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, MICRO MINI |
|
| JANTX1N645R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTX1N645UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN |
|
| JANTX1N645UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, GLASS, SIMILAR TO DO-213AA, 2 PIN |
|
| JANTX1N6461A | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| JANTX1N6461AUS | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
|
| JANTX1N6461US | MICROSEMI |
获取价格 |
Voidless Hermetically Sealed Unidirectional Transient Voltage Suppressors |
|
| JANTX1N6461US | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SURFA |
|
| JANTX1N6462 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERME |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
