是否无铅: | 含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-7 | 包装说明: | O-XALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.19 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 200 Ω | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 认证状态: | Qualified |
参考标准: | MIL-19500/435F | 标称参考电压: | 8.2 V |
子类别: | Voltage Reference Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN/LEAD (SN/PB) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 0.25 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N4101-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
JANTX1N4101C | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANTX1N4101C/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
JANTX1N4101C-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN | |
JANTX1N4101C-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA | |
JANTX1N4101CUR | MICROSEMI |
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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | |
JANTX1N4101CUR-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN | |
JANTX1N4101CUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANTX1N4101CURTR | MICROSEMI |
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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS | |
JANTX1N4101CURTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |