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JANSR2N7624U3 PDF预览

JANSR2N7624U3

更新时间： 2024-11-05 20:10:55
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 932K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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JANSR2N7624U3 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：79 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：14.9 A
最大漏源导通电阻：0.072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
参考标准：MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：202 ns最大开启时间（吨）：282 ns
Base Number Matches：1

JANSR2N7624U3 数据手册

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PD-97302E  
IRHLNJ797034  
JANSR2N7624U3  
60V, P-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
REF: MIL-PRF-19500/757  
TECHNOLOGY  
R
7
Product Summary  
Part Number  
IRHLNJ797034  
IRHLNJ793034  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
JANSR2N7624U3  
JANSF2N7624U3  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
-22A*  
-22A*  
0.072  
0.072  
SMD-0.5  
Description  
Features  
IR HiRel R7 Logic Level Power MOSFETs provide sim-  
ple solution to interfacing CMOS and TTL control circuits  
to power devices in space and other radiation environ-  
ments. The threshold voltage remains within acceptable  
operating limits over the full operating temperature and  
post radiation. This is achieved while maintaining single  
event gate rupture and single event burnout immunity.  
The device is ideal when used to interface directly with  
most logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other  
device types that operate from a 3.3-5V source. It may  
also be used to increase the output current of a PWM,  
voltage comparator or an operational amplifier where the  
logic level drive signal is available.  
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750, Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Pre-Irradiation  
Units  
ID1 @ VGS = -4.5V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = -4.5V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
-22*  
A
-14.9  
-88  
IDM @ TC = 25°C  
PD @ TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
Maximum Power Dissipation  
57  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.45  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current  
± 10  
79  
mJ  
A
-22  
EAR  
dv/dt  
TJ  
5.7  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
-12.3  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For Footnotes refer to the page 2.  
1
2020-01-13  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
1234567...9

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与JANSR2N7624U3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7625T3 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
JANSR2N7626UB INFINEON

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