5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSR2N7269
JANSR2N7269 PDF预览

JANSR2N7269

更新时间： 2024-09-22 22:24:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 278K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANSR2N7269 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
其他特性：RADIATION HARDENED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：104 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/603子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7269 数据手册

 浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANSR2N7269的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90674C  
IRHM7250  
JANSR2N7269  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
200V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/603  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHM7250  
IRHM3250  
IRHM4250  
IRHM8250  
100K Rads (Si) 0.10Ω  
300K Rads (Si) 0.10Ω  
600K Rads (Si) 0.10Ω  
1000K Rads (Si) 0.10Ω  
26A JANSR2N7269  
26A JANSF2N7269  
26A JANSG2N7269  
26A JANSH2N7269  
TO-254AA  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Eyelets  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
26  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
16  
104  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
1.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
26  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
5.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/11/00  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

JANSR2N7269 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRHM7250PBF INFINEON

功能相似

 暂无描述
IRHM8250 INFINEON

功能相似

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与JANSR2N7269相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7269D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANSR2N7269U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 200V, 26A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-1 package - SMD-1, 100 krad(Si)
JANSR2N7270 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 500V, 11A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100 kr
JANSR2N7270D INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JANSR2N7270U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 500V, 11A, single, N-channel MOSFET, R4 in a SMD-1 package - SMD-1, 100 krad(Si)
JANSR2N7272 INTERSIL

获取价格

 		8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7275 INTERSIL

获取价格

 		5A, 200V, 0.500 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7278 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
JANSR2N7278 INTERSIL

获取价格

 		4A, 250V, 0.700 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7281 INTERSIL

获取价格

 		Radiation Hardened, N-Channel Power MOSFET

与JANSR2N7269相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证