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JANSL2N2906A

更新时间： 2024-02-27 14:03:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206AA, TO-18, 3 PIN

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JANSL2N2906A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
JEDEC-95代码：TO-206AAJESD-30 代码：O-MBCY-W3
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
认证状态：Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

JANSL2N2906A 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
RADIATION HARDENED  
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/291  
DEVICES  
LEVELS  
JANSM – 3K Rads (Si)  
JANSD – 10K Rads (Si)  
JANSP – 30K Rads (Si)  
JANSL – 50K Rads (Si)  
JANSR – 100K Rads (Si)  
2N2906A  
2N2907A  
2N2906AL  
2N2906AUA  
2N2906AUB  
2N2907AL  
2N2907AUA  
2N2907AUB  
2N2906AUBC 2N2907AUBC  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Collector Current  
600  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2906A, 2N2907A  
(1)  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
PT  
0.5  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Max.  
Unit  
(1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
325  
°C/W  
RθJA  
4 PIN  
1. See MIL-PRF-19500/291 for derating curves.  
2N2906AUA, 2N2907AUA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
60  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
3 PIN  
ICBO  
VCB = 60Vdc  
2N2906AUB, 2N2907AUB  
2N2906AUBC, 2N2907AUBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
VCB = 50Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0Vdc  
10  
50  
μAdc  
ηAdc  
IEBO  
VEB = 4.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
ICES  
50  
ηAdc  
VCE = 50Vdc  
T4-LDS-0055 Rev. 4 (100247)  
Page 1 of 6  
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与JANSL2N2906A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSL2N2906A/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
JANSL2N2906AL/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
JANSL2N2906AUA MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANSL2N2906AUA/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
JANSL2N2906AUB MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-206A
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JANSL2N2907AUA MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANSL2N2907AUB/TR MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
JANSL2N2907AUBC MICROSEMI

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