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JANSF2N3700

更新时间： 2024-10-02 19:37:23

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	274K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN,

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JANSF2N3700 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.37	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

JANSF2N3700 数据手册

JANS_2N3700

Qualified Levels:

JANSM, JANSD,

JANSP, JANSL,

JANSR and JANSF

RADIATION HARDENED LOW POWER

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/391

DESCRIPTION

This NPN leaded metal device is RAD hard qualified for high-reliability applications. Microsemi

also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation

applications.

Important: For the latest information, visit our website http://www.microsemi.com.

FEATURES

•

JEDEC registered 2N3700.

RHA level JAN qualifications per MIL-PRF-19500/391 (see part nomenclature for all options).

TO-18 (TO-206AA)

Package

Also available in:

UB package

(leaded)

APPLICATIONS / BENEFITS

JANS_2N3700UB

•

Leaded TO-18 package.

Lightweight.

TO-39 (TO-205AD)

(leaded)

JANS_2N3019, 2N3019S

Low power.

Military and other high-reliability applications.

TO-46 (TO-206AB)

(leaded)

JANS_2N3057A

MAXIMUM RATINGS @ T_A= +25 ^oC unless otherwise noted.

Parameters/Test Conditions

Junction and Storage Temperature

Thermal Impedance Junction-to-Ambient

Thermal Impedance Junction-to-Case

Collector-Emitter Voltage

Symbol

T_Jand T_STG

R_ӨJA

Value

-65 to +200

325

Unit

^oC

^oC/W

R_ӨJC

150

MSC – Lawrence

6 Lake Street,

Lawrence, MA 01841

Tel: 1-800-446-1158 or

(978) 620-2600

V_CEO

Collector-Base Voltage

V_CBO

140

Emitter-Base Voltage

V_EBO

7.0

Collector Current

I_C

1.0

Fax: (978) 689-0803

Total Power Dissipation:

@ T_A= +25 ^oC ⁽¹⁾

@ T_C= +25 ^oC ⁽²⁾

P_D

0.5

1.0

MSC – Ireland

Gort Road Business Park,

Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044

Fax: +353 (0) 65 6822298

Notes: 1. Derate linearly 2.85 mW/°C for T_A≥ +25 °C.

2. Derate linearly 10.3 mW/°C for T_C≥ +25 °C.

Website:

www.microsemi.com

T4-LDS-0263, Rev. 1 (120784)

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JANSF2N5152	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5152L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), NPN,
JANSF2N5153	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD,
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