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JANS2N2218AL

更新时间： 2024-11-25 22:55:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JANS2N2218AL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/251
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

JANS2N2218AL 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 251

Devices

Qualified Level

JAN

2N2218

2N2218A

2N2218AL

2N2219

2N2219A

2N2219AL

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N2218 2N2218A; L

2N2219 2N2219A; L

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO- 39* (TO-205AD)

2N2218, 2N2218A

2N2219, 2N2219A

5.0

6.0

Vdc

800

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

TO-5*

2N2218AL,

2N2219AL

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 17.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

V_(BR)CEO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

All Types

mAdc

hAdc

I_EBO

V_EB= 4.0 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 50 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANS2N2218AL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N2218AL	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2218AL	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2218	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

与JANS2N2218AL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N2219	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2219A	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2219A/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205A
JANS2N2219AL	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2221A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-18
JANS2N2221AL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-206AA
JANS2N2221AUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SMT
JANS2N2221AUB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| CHIP
JANS2N2221AUBC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
JANS2N2222A	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255

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