JANS2N2218

更新时间： 2024-11-25 22:55:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANS2N2218 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/251	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	40 ns
Base Number Matches：	1

JANS2N2218 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 251

Devices

Qualified Level

JAN

2N2218

2N2218A

2N2218AL

2N2219

2N2219A

2N2219AL

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N2218 2N2218A; L

2N2219 2N2219A; L

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO- 39* (TO-205AD)

2N2218, 2N2218A

2N2219, 2N2219A

5.0

6.0

Vdc

800

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

TO-5*

2N2218AL,

2N2219AL

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 17.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

V_(BR)CEO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

All Types

mAdc

hAdc

I_EBO

V_EB= 4.0 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 50 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JANS2N2218 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N2218LEADFREE	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
2N2218AL	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2218	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

与JANS2N2218相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N2218A	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2218AL	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2219	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2219A	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2219A/TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205A
JANS2N2219AL	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANS2N2221A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-18
JANS2N2221AL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-206AA
JANS2N2221AUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SMT
JANS2N2221AUB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| CHIP

与JANS2N2218相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANS2N2218

JANS2N2218 技术参数

JANS2N2218 数据手册

JANS2N2218 替代型号

与JANS2N2218相关器件

与JANS2N2218相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANS2N2218

JANS2N2218 技术参数

JANS2N2218 数据手册

JANS2N2218 替代型号

与JANS2N2218相关器件

与JANS2N2218相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？