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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/117 |
| 标称参考电压： | 30 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 1% |
| 工作测试电流： | 4.2 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N973 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 20%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| JANS1N973A | MICROSEMI |
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Zener Diode, 33V V(Z), 10%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| JANS1N973B | MICROSEMI |
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Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| JANS1N973B-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| JANS1N973C | MICROSEMI |
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Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
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| JANS1N973D | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 1%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35 |
|
| JANS22GQ100 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, TO-254AA |
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| JANS2N2218 | MICROSEMI |
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NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANS2N2218A | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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| JANS2N2218AL | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
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