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JANS1N5819UR-1 PDF预览

JANS1N5819UR-1

更新时间： 2024-11-25 15:44:51
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JANS1N5819UR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：O-XELF-R2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-213AB
JESD-30 代码：O-XELF-R2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/586F表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

JANS1N5819UR-1 数据手册

 浏览型号JANS1N5819UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
• 1N5819UR-1 AND 1N6761UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/586  
1N5819UR  
and  
CDLL5817 thru CDLL5819  
and  
CDLL6759 thru CDLL6761  
and  
• 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
• HERMETICALLY SEALED  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
• METALLURGICALLY BONDED  
CDLL1A20 thru CDLL1A100  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -55°C to +125°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Average Rectified Forward Current: 1.0 AMP @T  
= +55°C  
EC  
Derating: 14 mA / °C above T  
= +55°C  
EC  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
2.39  
0.41  
4.80  
2.66 .094 .105  
0.55 .016 .022  
5.20 .189 .205  
G
G1  
S
4.11 REF.  
0.03 MIN.  
.159 REF.  
.001 MIN.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
WORKING PEAK  
REVERSE  
MAXIMUM REVERSE  
LEAKAGE CURRENT  
AT RATED VOLTAGE  
FIGURE 1  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE  
VOLTAGE  
V
V
@ 0.1A  
V
@ 1.0A  
VOLTS  
V
@ 3.1A  
I
@ +25°C  
I
R
@ +100°C  
RWM  
F
F
F
R
DESIGN DATA  
VOLTS  
VOLTS  
VOLTS  
mA  
mA  
CDLL5817  
CDLL5818  
CDLL5819  
J,JX,JV & JS  
5819UR-1  
20  
30  
40  
45  
0.36  
0.36  
0.36  
0.34  
0.60  
0.60  
0.60  
0.49  
0.9  
0.9  
0.9  
0.8  
0.1  
0.1  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
CASE: DO-213AB, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, LL41)  
0.1  
0.05  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
CDLL6759  
CDLL6760  
CDLL6761  
J,JX,JV & JS  
6761UR-1  
60  
80  
0.38  
0.38  
0.38  
0.38  
0.69  
0.69  
0.69  
0.69  
N/A  
N/A  
N/A  
N/A  
0.1  
0.1  
6.0  
6.0  
THERMAL RESISTANCE: (R  
40 ˚C/W maximum at L = 0 inch  
):  
OJEC  
100  
100  
0.1  
6.0  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
): 12  
OJX  
0.10  
12.0  
˚C/W maximum  
CDLL1A20  
CDLL1A30  
CDLL1A40  
CDLL1A50  
CDLL1A60  
CDLL1A80  
CDLL1A100  
20  
30  
0.36  
0.36  
0.36  
0.36  
0.38  
0.38  
0.38  
0.60  
0.60  
0.60  
0.60  
0.69  
0.69  
0.69  
0.9  
0.9  
0.9  
0.9  
N/A  
N/A  
N/A  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5.0  
5.0  
POLARITY: Cathode end is banded.  
40  
5.0  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
50  
5.0  
60  
12.0  
12.0  
12.0  
80  
100  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D
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