是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | DO-7, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.3 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-35 |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.5 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/435F |
标称参考电压: | 87 V | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 2% |
工作测试电流: | 0.25 mA |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JANS1N4133CUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4133CUR-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
JANS1N4133D | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4133DUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4133DUR-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 87V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN | |
JANS1N4133UR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4134 | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4134-1 | MICROSEMI |
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SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES | |
JANS1N4134-1/TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
JANS1N4134C | MICROSEMI |
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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |