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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 200 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/435 | 标称参考电压： | 8.2 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 0.25 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS1N4101C | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JANS1N4101C-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
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| JANS1N4101C-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
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| JANS1N4101CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JANS1N4101CUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN |
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| JANS1N4101D | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JANS1N4101DUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JANS1N4101UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JANS1N4101UR-1 | SENSITRON |
获取价格 |
Zener Diodes |
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| JANS1N4102 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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