5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 二极管 > 整流二极管> JANHCF1N5802
JANHCF1N5802 PDF预览

JANHCF1N5802

更新时间： 2024-09-29 22:31:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANHCF1N5802 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIE包装说明：S-XUUC-N1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.40
风险等级：5.36Is Samacsys：N
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.875 VJESD-30 代码：S-XUUC-N1
JESD-609代码：e0元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：2.5 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.025 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

JANHCF1N5802 数据手册

 浏览型号JANHCF1N5802的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANHCF1N5802的Datasheet PDF文件第3页 
7516 Central Industrial Drive  
Riviera Beach, Florida  
33404  
PHONE: (561) 842-0305  
FAX: (561) 845-7813  
1N5802  
1N5804  
1N5806  
JANHCE and JANKCE  
JANHCF and JANKCF  
FEATURES:  
·
·
·
·
·
·
·
·
Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils  
Chip Thickness: 8 to 12 mils  
Anode Metallization: Aluminum  
Metallization Thickness: 50,000Ã Nominal  
Bonding Area: 23 x 23 mils Min.  
Back Metallization: Gold  
2.5 AMPS  
FAST RECOVERY  
RECTIFIER CHIP  
50 - 150 VOLTS  
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design  
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or  
JANKCF  
Chip Type: RH  
TYPE  
VR  
VBR  
IO Tj = 75°C  
JANHCE1N5802  
JANHCE1N5804  
JANHCE1N5806  
JANKCE1N5802  
JANKCE1N5804  
JANKCE1N5806  
50V  
100V  
150V  
50V  
100V  
150V  
60V  
110V  
160V  
60V  
110V  
160V  
2.5A  
2.5A  
2.5A  
2.5A  
2.5A  
2.5A  
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Current  
Rated V , T = 25°C  
I
R
.01  
1
mA  
R
C
Reverse Current  
Rated V , T = 100°C  
I
1.0  
.80  
15  
50  
.875  
25  
mA  
Volts  
Pf  
R
C
R
Forward Voltage Drop I = 1A, T = 25°C  
V
F
F
C
Junction Capacitance @ V = 10V  
Cj  
R
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
TYPICAL  
MAX.  
UNITS  
Reverse Recovery Time  
I = 0.5A, I = 0.5A, I = 0.05A  
Trr  
Vrr  
20  
25  
2.2  
15  
ns  
V
F
R
RR  
Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns  
Forward Recovery Time  
1.5  
I
= 250 mA  
ns  
FM  
MSC1344.PDF 02-23-99  
123

中文翻译

下载PDF

与JANHCF1N5802相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANHCF1N5804 MICROSEMI

获取价格

 		2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANHCF1N5806 MICROSEMI

获取价格

 		2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANHCF1N5807 MICROSEMI

获取价格

 		6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANHCF1N5809 MICROSEMI

获取价格

 		6 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
JANHCF1N5811 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, Silicon, DIE-1
JANIN6626US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
JANIN6628US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.55A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
JANIN6629US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
JANIN6631US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.15A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS,
JANJ2N2907A MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,

与JANHCF1N5802相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证