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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 10 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 175 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 650 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANHC2N3637 | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| JANHC2N3637L | ONSEMI |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| JANHC2N4029 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18 |
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| JANHC2N4033 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
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| JANHC2N6211 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 225V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66 |
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| JANHC2N6212 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66 |
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| JANHC2N6213 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-66 |
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| JANHC2N6249 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANHC2N6250 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANHC2N6251 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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