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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | JESD-609代码： | e0 |
| 认证状态： | Not Qualified | 端子面层： | TIN LEAD |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6509G | LITTELFUSE |
功能相似  |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| 2N6508G | LITTELFUSE |
功能相似 |
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源消弧电路。 功能与特色: |
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| C106DG | LITTELFUSE |
功能相似 |
灵敏栅极硅控整流器是一款玻璃化PNPN设备，专为高容量消费应用设计，例如温度；光和速度控制 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3031 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3032 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3055 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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| JAN2N3095 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3097 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3227 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| JAN2N3227UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, C |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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