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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 0.7 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 15 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 0.785 A |
| 参考标准： | MIL | 重复峰值关态漏电流最大值： | 0.1 µA |
| 断态重复峰值电压： | 60 V | 重复峰值反向电压： | 60 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3029 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3031 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3032 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3055 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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| JAN2N3095 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3097 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3227 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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