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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| JESD-609代码： | e0 | 认证状态： | Not Qualified |
| 端子面层： | TIN LEAD | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3028 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3029 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3031 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3032 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3055 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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| JAN2N3095 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3097 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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