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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 1.51 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/391H |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3019 | MICROSEMI |
完全替代  |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JANS2N3019 | MICROSEMI |
完全替代 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3019S | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3027 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3028 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3029 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
|
| JAN2N3030 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
|
| JAN2N3031 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
|
| JAN2N3032 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 0.5 Amp, Planear |
|
| JAN2N3055 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3057A | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N3057A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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