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JAN2N3019 PDF预览

JAN2N3019

更新时间: 2024-11-06 19:21:11
品牌 Logo 应用领域
雷神 - RAYTHEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

JAN2N3019 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JAN2N3019 数据手册

 浏览型号JAN2N3019的Datasheet PDF文件第2页 

JAN2N3019 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JAN2N3057A RAYTHEON

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,