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JAN1N6100

更新时间： 2023-01-03 09:45:30
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 607K
描述
Rectifier Diode, 7 Element, 0.3A, Silicon, FP-14

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JAN1N6100 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76配置：SEPARATE, 7 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDFP-F14元件数量：7
端子数量：14最大输出电流：0.3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/474E
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

JAN1N6100 数据手册

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INCH-POUND  
The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 23 March 2007.  
MIL-PRF-19500/474F  
23 January 2007  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/474E  
3 November 1997  
* PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON, MULTIPLE DIODE ARRAYS,  
TYPES 1N5768, 1N5770, 1N5772, 1N5774, 1N6100, 1N6101, 1N6496,  
1N6506, 1N6507, 1N6508, 1N6509, 1N6510, AND 1N6511,  
JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
This specification is approved for use by all Departments and Agencies  
of the Department of Defense.  
* The requirements for acquiring the product described herein shall consist  
of this specification sheet and MIL-PRF-19500.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for silicon, multiple diode arrays. Four levels  
of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figures 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, and 8.  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified T = +25°C.  
*
A
Type  
V
1/ 2/  
I
1/ 3/  
I
1/  
P
T
T
T
STG  
BR(R)  
O
FSM  
J
T
= +25°C  
t = 1/120 s  
p
T
= +25°C  
A
A
V dc  
mA dc  
mA dc  
mW  
°C  
°C  
1N5768  
1N5770  
1N5772  
1N5774  
1N6496  
1N6506  
1N6507  
1N6508  
1N6509  
1N6100  
1N6101  
1N6510  
1N6511  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
60  
75  
75  
75  
75  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500  
500 4/  
500 4/  
500 4/  
500 4/  
500 4/  
600 5/  
600 5/  
600 5/  
600 5/  
500 4/  
600 5/  
500 4/  
600 5/  
-65 to +175  
-65 to +200  
1/ Each diode.  
2/ Pulsed: PW = 100 ms maximum; duty cycle ≤ 20 percent.  
3/ Derate at 2.0 mA/°C above +25°C.  
4/ Derate at 3.33 mW/°C above +25°C.  
5/ Derate at 4.0 mW/°C above +25°C.  
Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,  
Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to  
semiconductor@dscc.dla.mil. Since contact information can change, you may want to verify the currency of  
this address information using the ASSIST Online database at http://assist.daps.dla.mil.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
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JAN1N6100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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