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JAN1N5471C

更新时间： 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
艾法斯 - AEROFLEX 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 12K
描述
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

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JAN1N5471C 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-7
包装说明：O-XALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
最小击穿电压：30 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管电容容差：2%
最小二极管电容比：2.9标称二极管电容：39 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：O-XALF-W2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最小质量因数：450参考标准：MIL-19500/436A
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL

JAN1N5471C 数据手册

  
KNOX SEMICONDUCTOR, INC.  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5441 TO 1N5476  
TYPE  
NUMBER  
CAPACITANCE  
@ - 4 Vdc • 1 MHz  
(pF)  
TUNING RATIO  
C•2 V / C•30V  
MIN QUALITY FACTOR  
Q @ - 4 Vdc  
MIN  
MAX  
f = 50 MHz  
1N5441  
1N5442  
6.8  
8.2  
2.5  
2.5  
3.1  
3.1  
450  
450  
1N5443  
1N5444  
10.0  
12.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
400  
1N5445  
1N5446  
15.0  
18.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.1  
400  
350  
1N5447  
1N5448  
20.0  
22.0  
2.6  
2.6  
3.1  
3.2  
350  
350  
1N5449  
1N5450  
27.0  
33.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
350  
350  
1N5451  
1N5452  
39.0  
47.0  
2.6  
2.6  
3.2  
3.2  
300  
250  
1N5453  
1N5454  
56.0  
68.0  
2.6  
2.7  
3.3  
3.3  
200  
175  
1N5455  
1N5456  
82.0  
100.0  
2.7  
2.7  
3.3  
3.3  
175  
175  
¨ 1N5461  
¨ 1N5462  
6.8  
8.2  
2.7  
2.8  
3.1  
3.1  
600  
600  
¨ 1N5463  
¨ 1N5464  
10.0  
12.0  
2.8  
2.8  
3.1  
3.1  
550  
550  
¨ 1N5465  
¨ 1N5466  
15.0  
18.0  
2.8  
2.9  
3.1  
3.1  
550  
500  
¨ 1N5467  
¨ 1N5468  
20.0  
22.0  
2.9  
2.9  
3.1  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5469  
¨ 1N5470  
27.0  
33.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
500  
500  
¨ 1N5471  
¨ 1N5472  
39.0  
47.0  
2.9  
2.9  
3.2  
3.2  
450  
400  
¨ 1N5473  
¨ 1N5474  
56.0  
68.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
300  
250  
¨ 1N5475  
¨ 1N5476  
82.0  
100.0  
2.9  
2.9  
3.3  
3.3  
225  
200  
Package style  
DO-7  
DC Power Dissipation  
Min Reverse Breakdown Voltage  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Temp. Coefficient of Capacitance  
Operating Temperature (Topr)  
Storage Temperature (Tstg)  
Capacitance Tolerance  
@ Ta = 25°C  
@ IR = 10 µA  
@ 25 Vdc  
@ 25 Vdc 150°C  
@ Vr -4 Vdc, Ta -65° to + 85°c  
400 mW  
30 V  
0.02 µA  
20 µA  
.04% /°C  
-65 to +175°C  
-65 to +200°C  
±20%  
Standard Device  
Suffix A  
±10%  
Suffix B  
±5%  
Suffix C  
±2%  
¨
DENOTES MILITARY APPROVAL FOR JAN - JANTX – JANTXV (B & C Tolerance only)  
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856 • 207•236•6076  
•
FAX 207•236•9558  
-25-  
1

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与JAN1N5471C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5472B AEROFLEX

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5473B AEROFLEX

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 		Variable Capacitance Diode, 56pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
JAN1N5474B AEROFLEX

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 		Variable Capacitance Diode, 68pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
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JAN1N5518 MICROSEMI

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 		LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
JAN1N5518-1 MICROSEMI

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 		Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
JAN1N5518-1TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
JAN1N5518A MICROSEMI

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 		LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
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