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J270

更新时间： 2024-09-30 03:44:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
P-Channel Switch

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J270 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.2
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

J270 数据手册

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J270  
P-Channel Switch  
•
This device is designed for low level analog switching sample and hold  
circuits and chopper stabilized amplifiers.  
•
Sourced from process 88.  
TO-92  
1. Drain 2. Gate 3. Source  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DG  
GS  
30  
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= -1.0µA, V = 0  
V
pA  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= -20V, V = 0  
200  
2.0  
GS  
DS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
= -15V, I = 1.0nA  
0.5  
GS(off)  
D
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
Small Signal Characteristics  
I
V
= -15V, V = 0  
-2.0  
6000  
-15  
mA  
DSS  
DS  
GS  
gfs  
Forward Transferconductance  
Common- Source Output Conductance  
V
V
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
15000  
200  
µmhos  
µmhos  
GS  
GS  
DS  
goss  
= 0V, V = 15V, f = 1.0kHz  
DS  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
350  
2.8  
D
Derate above 25°C  
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
θJC  
θJA  
°C/W  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, July 2003  
123

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J270 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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