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J177-SOT-23-3L

更新时间： 2024-11-13 06:37:47

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凌特 - Linear		/
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2页	257K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET,

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J177-SOT-23-3L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	FET 技术：	JUNCTION
最高工作温度：	135 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

J177-SOT-23-3L 数据手册

J/SST174 SERIES

SINGLE P-CHANNEL

JFET SWITCH

FEATURES

Replacement For SILICONIX J/SST174 SERIES

LOW ON RESISTANCE

r_DS(on)≤ 85Ω

LOW GATE OPERATING CURRENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

I_D(off)= 10pA

SST SERIES

SOT-23

TOP VIEW

J SERIES

Storage Temperature

-55 to 150°C

-55 to 135°C

Junction Operating Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation³

Maximum Currents

350mW

Gate Current

I_G= -50mA

Maximum Voltages

Gate to Drain Voltage

Gate to Source Voltage

V_GDS= 30V

V_GSS= 30V

COMMON ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL

BV_GSS

V_GS(F)

I_GSS

CHARACTERISTIC

MIN TYP MAX UNITS CONDITIONS

Gate to Source Breakdown Voltage

Gate to Source Forward Voltage

Gate Reverse Current

I_G= 1µA, V_DS= 0V

-0.7

0.01

-0.01

I_G= -1mA, V_DS= 0V

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DG= -15V, I_D= -1mA

V_DS= -15V, V_GS= 10V

I_G

Gate Operating Current

Drain Cutoff Current

I_D(off)

-1

SPECIFIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

J/SST174

J/SST175

J/SST176

J/SST177

SYMBOL CHARACTERISTIC

UNITS CONDITIONS

MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX

Gate to Source

V_GS(off)

0.8

2.25

-30

V_DS= -15V, I_D= -10nA

Cutoff Voltage

Drain to Source

I_DSS

-20 -195

-7

-90

125

-2

-55

250

-1.5

V_DS= -15V, V_GS= 0V

V_GS= 0V, V_DS= -0.1V

Saturation Current

Drain to Source

r_DS(on)

300

On Resistance

Linear Integrated Systems

•

4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

Doc 201111 05/30/13 Rev#A5 ECN#J SST174

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J177-STYLE-C	ALLEGRO	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226A
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