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T0250NA52E

更新时间： 2024-02-05 06:20:42

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	385K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 340A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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T0250NA52E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	340 A	集电极-发射极最大电压：	5200 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	4800 ns
标称接通时间 (ton)：	3300 ns	Base Number Matches：	1

T0250NA52E 数据手册

Date:- 18 Jun, 2003

Data Sheet Issue:- 2

Provisional Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T0250NA52E

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_CES

Collector – emitter voltage

5200

2600

±20

V_{DC link}

V_GES

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_C(DC)

I_CRM

I_ECO

P_MAX

T_j

Continuous DC collector current, IGBT (Note 2).

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT.

Maximum reverse emitter current, t_p=1ms, (note 4).

Maximum power dissipation, IGBT (note 3).

Operating temperature range.

340

520

250

2380

°C

-40 to +125

T_stg

Storage temperature range.

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 55°C, double side cooled.

3) T_sink= 25°C, double side cooled.

4) The Use of an anti-parallel diode is recommended.

Provisional Data Sheet T0250NA52E Issue 2

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June, 2003

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