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T0160NA52A

更新时间： 2024-01-22 14:09:53

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IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	437K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 257A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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T0160NA52A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	257 A
集电极-发射极最大电压：	5200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	6000 ns	标称接通时间 (ton)：	3200 ns
Base Number Matches：	1

T0160NA52A 数据手册

Date:- 5 Nov, 2003

Data Sheet Issue:- 4

Provisional Data

Insulated Gate Bi-Polar Transistor

Type T0160NA52A

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

VOLTAGE RATINGS

UNITS

V_CES

Collector – emitter voltage

5200

2600

±20

V_{DC link}

V_GES

Permanent DC voltage for 100 FIT failure rate.

Peak gate – emitter voltage

MAXIMUM

LIMITS

RATINGS

UNITS

I_C(DC)

I_CRM

I_F(DC)

I_FRM

Continuous DC collector current, IGBT (Note 2).

Repetitive peak collector current, t_p=1ms, IGBT.

Continuous DC forward current, Diode (note 2).

Repetitive peak forward current, t_p=1ms, Diode.

Maximum power dissipation, IGBT (note 3).

Critical diode di/dt (note 4)

257

320

172

320

P_MAX

(di/dt)_cr

T_j

1785

1000

A/µs

°C

Operating temperature range.

-40 to +125

T_stg

Storage temperature range.

Notes: -

1) Unless otherwise indicated T_j= 125ºC.

2) T_sink= 55°C, double side cooled.

3) T_sink= 25°C, double side cooled.

4) Maximum commutation loop inductance 1µH.

Provisional Data Sheet T0160NA52A Issue 4

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November, 2003

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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