Datasheet > IXTT8P50

IXTT8P50

更新时间： 2023-12-06 20:12:52

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		转换器
页数	文件大小	规格书
3页	583K
描述
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-247和可表面贴装的TO-268封装。这些产品是降压转换器以及需要接地的负载的理想选择。它们可与对等的N

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTT8P50 数据手册

IXTH 8P50

IXTT 8P50

V_DSS= -500 V

I_D25-8 A

R_DS(on)= 1.2 Ω

Standard Power

MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

-500

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-268 (IXTT)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

-8

-32

-8

E_AR

P_D

T_C= 25°C

D (TAB)

180

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

G = Gate,

D=Drain,

TAB = Drain

T_JM

T_stg

S = Source,

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic Body for 10s

•International standard packages

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

•UnclampedInductiveSwitching(UIS)

250

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

•L^rao^tew^dpackageinductance(<5nH)

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

• Highsideswitching

• Push-pullamplifiers

• DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I = -250 µA

-500

-3.0

BV_DSSTemp^Derature Coefficient

0.054

%/K

V_GS(th)

V_DS= V , I_D= -250 µA

-5.0

%/K

V_GS(th)Te^Gm^SperatureCoefficient

-0.122

• Automatictestequipment

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

-200

µA

-1 mA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 • I_D25

7P50

8P50

1.5

1.2

Ω

• ⁽S^isp^oa^lc^ae^tes^da^mvi^on^ugⁿs^{tingscrewhole)}

• High power density

R_DS(on)TemperatureCoefficient

0.6 %/K

DS94534F(02/05)

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXTT8P50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT90P10P	IXYS	获取价格	PolarPTM Power MOSFETs
IXTT90P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT96N15P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTT96N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTT96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTU01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
IXTU01N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTU01N100D	IXYS	获取价格	N-Channel, Depletion Mode High Voltage MOSFET
IXTU01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件

与IXTT8P50相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT8P50

IXTT8P50 数据手册

与IXTT8P50相关器件

与IXTT8P50相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT8P50

IXTT8P50 数据手册

与IXTT8P50相关器件

与IXTT8P50相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？