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IXTP76N25TM

更新时间： 2025-07-19 19:45:43

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IXYS		/
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8页	286K
描述
DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-2

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Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 76A

R_DS(on) 44m

IXTA76N25T

IXTP76N25T

IXTQ76N25T

IXTH76N25T

N-Channel Enhancement Mode

Typical Avalanched BV = 300V

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

G

S

G

D

G

D

D (Tab)

S

D (Tab)

S

D (Tab)

TO-247(IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

250

250

V

V

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

V

V

G

D

D (Tab)

S

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

76

170

A

A

G = Gate

S = Source

D

= Drain

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

T_C= 25C

8

1.5

A

J

P_D

T_C= 25C

460

W

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

C

C

Features

^Avalanche Rated

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C



F_C

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

M_d

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

g

g

g

g

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

TO-247





High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_GS= 0V, I_D= 10mA

250

V

V

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

300

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

3.0

5.0

V

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

 100 nA

A

^DC Choppers

^AC Motor Drives

^Uninterruptible Power Supplies

^High Speed Power Switching

Applications

I_DSS

2

T_J= 125C

200 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

44 m

DS99663G(11/15)

© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP76P10T	IXYS	获取价格	TrenchP Power MOSFETs
IXTP76P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N50A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220

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