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IXTM4N80A

更新时间: 2024-09-24 20:19:35
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
12页 1058K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXTM4N80A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IXTM4N80A 数据手册

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