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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 90 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 门极发射器阈值电压最大值： | 7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSN62N60U1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN80N60A | IXYS |
获取价格 |
High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN80N60AU1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN80N60B | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), N-Channel, MINIBLOC-4 |
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| IXSN80N60BD1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability |
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| IXSP10N60B2D1 | IXYS |
获取价格 |
High Speed IGBT with Diode |
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| IXSP15N120B | IXYS |
获取价格 |
S Series - Improved SCSOA Capability |
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| IXSP16N60 | IXYS |
获取价格 |
Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSP20N60B2 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, |
|
| IXSP20N60B2D1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, 3 |
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