Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXSN55N120AU1

IXSN55N120AU1

更新时间： 2024-02-24 12:26:11

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IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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2页	73K
描述
High Voltage IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability

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IXSN55N120AU1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	110 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	500 W	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1500 ns
标称接通时间 (ton)：	390 ns	VCEsat-Max：	4 V
Base Number Matches：	1

IXSN55N120AU1 数据手册

IXSN 55N120AU1

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

= 1200 V

= 110 A

HighVoltage

IGBT with Diode

4 V

Short Circuit SOA Capability

Preliminary data

miniBLOC, SOT-227 B

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

110

160

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 W

Clamped inductive load, L = 30 mH

I_CM= 110

@ 0.8 V_CES

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 0.6 • V_CES, T_J= 125°C

R_G= 22 W, non repetitive

Features

P_C

P_D

T_C= 25°C

IGBT

Diode

500

175

• Internationalstandardpackage

miniBLOC(ISOTOP)compatible

• Aluminium-nitrideisolation

- highpowerdissipation

• Isolation voltage 3000 V~

• Low V_CE(sat)

V_ISOL

50/60 Hz

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- forminimumon-stateconduction

losses

• Fast Recovery Epitaxial Diode

- short t_rrand I_RM

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque(M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

• Low collector-to-case capacitance

(< 60 pF)

- reduces RFI

• Low package inductance (< 10 nH)

- easy to drive and to protect

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 8 mA, V_GE= 0 V

I_C= 8 mA, V_CE= V_GE

1200

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

16 mA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±200

• Space savings

• Easy to mount with 2 screws

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92520E(12/96)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXSN55N120U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 83A I(C) \| SOT-227B
IXSN62N60AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 90A I(C) \| SOT-227B
IXSN62N60U1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60A	IXYS	获取价格	High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60AU1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), N-Channel, MINIBLOC-4
IXSN80N60BD1	IXYS	获取价格	IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
IXSP10N60B2D1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXSP15N120B	IXYS	获取价格	S Series - Improved SCSOA Capability
IXSP16N60	IXYS	获取价格	Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability

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