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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 53 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 8 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 205 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 205 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSN51N60AU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
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| IXSN52N60AU1 | IXYS |
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IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSN55N100U1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 61A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN55N120 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
|
| IXSN55N120A | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT - Short Circuit SOA Capability |
|
| IXSN55N120AU1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
|
| IXSN55N120U1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN62N60AU1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B |
|
| IXSN62N60U1 | IXYS |
获取价格 |
IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability |
|
| IXSN80N60A | IXYS |
获取价格 |
High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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