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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | DIE-5 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSD25N120A-5T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5 |
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| IXSD30N60-5X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXSD30N60B-5X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXSD35N100A-7M | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXSD35N120A-7M | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXSD35N120B-7U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXSD35N135A-7M | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1350V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXSD35N140A-7U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1400V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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| IXSD40N60B-6X | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
|
| IXSD45N100-7M | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-7 |
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