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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | MS-012AA, SOIC-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.32 | 高边驱动器： | YES |
| 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 4.9 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | MOSFET Drivers | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 4.5 V | 标称供电电压： | 5 V |
| 电源电压1-最大： | 26 V | 电源电压1-分钟： | 4 V |
| 表面贴装： | YES | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 断开时间： | 0.05 µs | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXSA10N60B2D1 | IXYS |
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High Speed IGBT with Diode |
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| IXSA12N60AU1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
|
| IXSA15N120B | IXYS |
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S Series - Improved SCSOA Capability |
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| IXSA16N60 | IXYS |
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Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
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| IXSD10N120A-3T | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-8 |
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| IXSD15N120A-4T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
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| IXSD15N120B-4U | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 |
|
| IXSD16N60-3T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-8 |
|
| IXSD25N100-5T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5 |
|
| IXSD25N100A-5T | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel, DIE-5 |
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