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IXRA15N120

更新时间： 2024-11-23 19:34:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 汽车点火栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, PLASTIC, D2PAK-3

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IXRA15N120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.68
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AUTOMOTIVE IGNITION晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：253 ns标称接通时间 (ton)：33.5 ns
Base Number Matches：1

IXRA15N120 数据手册

 浏览型号IXRA15N120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXRA15N120的Datasheet PDF文件第3页 
IXRP 15N120  
IXRA 15N120  
Advanced Technical Information  
VCES = 1200 V  
IC25 = 25 A  
VCE(sat) = 2.5 V typ.  
IGBT with Reverse  
Blocking capability  
IXRP 15N120  
IXRA 15N120  
C
TO-
G
G
G
C
C (TAB)  
C
E
E
TO-263  
E
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
Features  
IGBT  
• IGBT with NPT (non punch through)  
structure  
• reverse blocking capability  
- function of series diode monolithically  
integrated, no external series diode  
required  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
Continuous  
1200  
20  
V
V
VGES  
IC25  
IC90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
25  
15  
A
A
- soft reverse recovery  
• positive temperature coefficient of  
saturation voltage  
• Epoxy of TO-247 package meets  
UL 94V-0  
ICM  
VCEK  
VGE = 0/15 V; RG = 47 Ω; TVJ = 125°C  
RBSOA; Clamped inductive load; L = 100 µH  
30  
600  
A
V
SCSOA  
Ptot  
600 V  
10 µs  
Applications  
TC = 25°C  
300  
W
Converters requiring reverse blocking  
capability:  
- current source inverters  
- matrix converters  
- bi-directional switches  
- resonant converters  
- induction heating  
- auxiliary switches for soft switching  
in the main current path  
Symbol  
VCE(sat)  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min.  
typ. max.  
IC = 10 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
2.5 2.95  
3.3  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 1 mA; VGE = VCE  
3
6
V
VCE = VCES;VGE = 0 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
50 µA  
mA  
1.0  
36  
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
500 nA  
nC  
QGon  
VCE = 120 V; VGE = 15 V; IC = 10 A  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2005 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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