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IXGH25N160

更新时间： 2024-11-07 14:56:35

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXGH25N160 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	1600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	526 ns
标称接通时间 (ton)：	283 ns	Base Number Matches：	1

IXGH25N160 数据手册

V_CES= 1600 V

I_C25= 75 A

V_CE(sat)= 2.5 V

IXGH 25N160

IXGT 25N160

High Voltage IGBT

For Capacitor Discharge

Applications

Preliminary Data Sheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

TO-268 (IXGT)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, V_GE= 20 V, 1 ms

200

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 20 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

300

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

ꢀ

High peak current capability

Low saturation voltage

MOS Gate turn-on

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

°C

ꢀ

260

-drive simplicity

ꢀ

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb-in

Rugged NPT structure

International standard packages

- JEDEC TO-268 and

Weight

TO-247

TO-268

- JEDEC TO-247 AD

ꢀ

Molding epoxies meet UL94 V-0

flammability classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

ꢀ

Capacitor discharge

ꢀ

Pulser circuits

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 μA, V_GE= 0 V

I_C= 250 μA, V_CE= V_GE

1600

3.0

5.0

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

μA

ꢀ

High power density

T_J= 125°C

ꢀ

Suitable for surface mounting

ꢀ

Easy to mount with 1 screw,

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±30 V

±100

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

I_C= 100 A, V_GE= 20 V

2.5

4.7

DS99381(12/05)

12 3 4 5 6

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与IXGH25N160相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH25N250	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications
IXGH25N250	LITTELFUSE	获取价格	NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。具有正温度系数Vce(sa
IXGH25N80	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH25N80A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 800V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH25N90	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH25N90A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
IXGH28N120B	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGH28N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH28N120BD1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT w/ Diode
IXGH28N120BD1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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