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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 208K | |
描述 | ||
功能与特色: 应用:? |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.71 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 75 A | 集电极-发射极最大电压: | 1600 V |
配置: | SINGLE | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 526 ns |
标称接通时间 (ton): | 283 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH25N250 | IXYS |
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High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications | |
IXGH25N250 | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa | |
IXGH25N80 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 | |
IXGH25N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 | |
IXGH25N90 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 | |
IXGH25N90A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 | |
IXGH28N120B | IXYS |
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High Voltage IGBT | |
IXGH28N120B | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH28N120BD1 | IXYS |
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High Voltage IGBT w/ Diode | |
IXGH28N120BD1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |