5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.65 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 200 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1670 ns | 标称接通时间 (ton)： | 350 ns |
| VCEsat-Max： | 3.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH25N100A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat), High speed IGBT |
|
| IXGH25N100AU1 | IXYS |
获取价格 |
High speed IGBT with Diode |
|
| IXGH25N100U1 | IXYS |
获取价格 |
High speed IGBT with Diode |
|
| IXGH25N120 | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) High speed IGBT |
|
| IXGH25N120A | IXYS |
获取价格 |
Low VCE(sat) High speed IGBT |
|
| IXGH25N160 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT |
|
| IXGH25N160 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用:? |
|
| IXGH25N250 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications |
|
| IXGH25N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
|
| IXGH25N80 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
