是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 8.61 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.07 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFK80N60P3 | IXYS |
功能相似 |
Polar3 HiPerFET Power MOSFET | |
IXFB82N60Q3 | IXYS |
功能相似 |
HiperFETTM Power MOSFET Q3-Class | |
IXFB82N60P | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX88N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX90N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS | |
IXFX90N20Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX90N20QS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD | |
IXFX90N30 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFX90N30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFX90N60X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX90N60X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFX94N50P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2 HiPerFET Power MOSFET | |
IXFX94N50P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |