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IXFX80N50P

更新时间： 2023-12-06 20:13:09

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFX80N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFK 80N50P

IXFX 80N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)≤ 65 mΩ

t_rr

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GSM

Transient

Continuous

D (TAB)

I_D25

I_L

I_DM

T_C=25° C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

200

PLUS247 (IXFX)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

3.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 2 Ω

V/ns

T_C=25° C

1040

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

Tab = Collector

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

F_C

Mounting force (PLUS247)

Mounting torque (TO-264)

20..120/4.5..25

N/lb

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-264

International standard package

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

PLUS247

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 500 µA

500

Advantages

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

3.0

5.0

Easy to mount

Space savings

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

65 mΩ

DS99437E(03/06)

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