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IXFX80N20Q

更新时间： 2024-09-27 20:54:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247-3

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IXFX80N20Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.35	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX80N20Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFK 80N20Q

IXFX 80N20Q

V_DSS= 200

I_D25= 80

R_DS(on)= 28 mW

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr£ 200 ns

Low Q_g, High dv/dt

Preliminary data

TO-264 (IXFK)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

CaseStyle

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

320

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

PLUS247^TM

(IXFX)

E_AR

T_C= 25°C

1.5

E_AS

D (TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

- faster switching

• Low R_{DS (on)}

min.

typ.

max.

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

200

2.0

4.0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

28 mW

• Space savings

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98607A(7/00)

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