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IXFX32N80P

更新时间： 2024-01-19 17:46:38

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4页	161K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFX32N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.35	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX32N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFK 32N80P

IXFX 32N80P

V_DSS

I_D25

= 800 V

= 32 A

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 250 ns

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-264 (IXFK)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

800

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

PLUS247 (IXFX)

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

M_d

Mounting torque (TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-264

PLUS247

Features

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

800

3.0

5.0

200

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

270 mΩ

High power density

DS99425E(01/06)

12 3 4

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IXFX32N80P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX32N80Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFK32N80P	LITTELFUSE	功能相似	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK32N80Q3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFX32N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFX32N80Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFX32N80Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX32N90P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFX32N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFX34N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFX34N80	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFX35N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX35N50	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFX360N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFX360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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