IXFX32N50

更新时间： 2024-01-16 05:34:25

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HiPerFET Power MOSFET

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IXFX32N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	416 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	128 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFX32N50 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFET

IXFX 32N50 V_DSS= 500 V

I_D25

32 A

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

R_DS(on)= 0.15 W

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

PLUS 247

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AS

E_AR

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

• Fast intrinsic rectifier

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ.

max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

500

V_DSStemperature coefficient

0.102

%/K

• DC choppers

• AC motor control

V_GS(th)V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS(th)temperature coefficient

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

-0.206

%/K

I_GSS

I_DSS

±100 nA

Advantages

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

1 mA

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 15A

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.15

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98719A(7/00)

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