是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 3.69 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 32 A | 最大漏极电流 (ID): | 32 A |
最大漏源导通电阻: | 0.32 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFX32N90P | IXYS |
类似代替 ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IXFX32N100P | IXYS |
类似代替 ![]() |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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IXFK32N100Q3 | IXYS |
功能相似 ![]() |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX32N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET |
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IXFX32N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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IXFX32N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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IXFX32N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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IXFX32N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFX32N80Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 800V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IXFX32N80Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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IXFX32N90P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 900V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IXFX32N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFX34N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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