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IXBP5N140G PDF预览

IXBP5N140G

更新时间： 2024-09-15 21:09:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5.7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXBP5N140G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.29最大集电极电流 (IC)：5.7 A
集电极-发射极最大电压：1400 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：190 ns
标称接通时间 (ton)：340 nsBase Number Matches：1

IXBP5N140G 数据手册

 浏览型号IXBP5N140G的Datasheet PDF文件第2页 
Advanced Technical Information  
IC25  
= 5.7 A  
High Voltage  
BIMOSFETTM  
VCES = 1400/1600 V  
VCE(sat) = 4.9 V  
tf  
= 70 ns  
Monolithic Bipolar MOS Transistor  
TO-220 AB  
IXBP 5N140 G  
IXBP 5N160 G  
C
G
C
E
C (TAB)  
G
E
TO-2
IXBH 5N140 G  
IXBH 5N160 G  
G
C
E
AB)  
A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode  
Features  
IGBT  
• High Voltage BIMOSFETTM  
- substitute for high voltage MOSFETs  
with significantly lower voltage drop  
- MOSFET compatible control  
10V turn on gate voltage  
- fast switching for high frequency  
operation  
- reverse conduction capability  
• industry standard package  
- TO-220AB  
Symbol  
VCES  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ = 25°C to 150°C  
IXBP 5N140  
IXBP 5N160  
1400  
1600  
V
V
±
VGES  
20  
V
IC25  
IC90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
5.7  
3.5  
A
A
10/0  
ICM  
VCEK  
VGE  
=
V; RG = 47 Ω; TVJ = 125°C  
6
A
RBSOA, Clamped inductive load; L = 100 µH  
0.8VCES  
- TO-247AD  
epoxy meets UL94V-0  
Ptot  
TC = 25°C  
68  
W
Applications  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
• switched mode power supplies  
• DC-DC converters  
• resonant converters  
min.  
typ. max.  
• lamp ballasts  
• laser generators, x ray generators  
VCE(sat)  
IC = 3 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
4.9  
5.6  
7.2  
V
V
VGE(th)  
ICES  
IC = 0.3 mA; VGE = VCE  
3.5  
5.5  
V
VGE = 0 V; VCE = VCES  
;
TVJ = 25°C  
0.15 mA  
mA  
VCE = 0.8VCES; TVJ = 125°C  
0.05  
±
IGES  
VCE = 0 V; VGE  
=
20 V  
500 nA  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
140  
200  
120  
70  
ns  
ns  
ns  
ns  
Inductive load, TVJ = 125°C  
VCE = 960 V; IC = 3 A  
10/0  
VGE  
=
V; RG = 47 Ω  
Cies  
QGon  
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz  
VCE = 600V; VGE = 10 V; IC = 3 A  
325  
26  
pF  
nC  
VF  
(reverse conduction); IF = 3 A  
6
V
RthJC  
1.85 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2002 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
IXYS Semiconductor GmbH  
IXYS Corporation  
Edisonstr. 15,  
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627  
D-68623 Lampertheim  
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054  
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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