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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> ITS410E2
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ITS410E2

更新时间： 2024-09-30 03:44:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
15页 323K
描述
Smart Highside Power Switch for Industrial Applications

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ITS410E2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ZIP, ZIP5,.15,.17,67TB针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：8.59
内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE驱动器位数：1
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PZFM-T5
JESD-609代码：e3功能数量：1
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：1.8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：ZIP封装等效代码：ZIP5,.15,.17,67TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：12 V
认证状态：Not Qualified子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：42 V最小供电电压：4.7 V
标称供电电压：12 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：1.7 mm端子位置：ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：85 µs
接通时间：125 µsBase Number Matches：1

ITS410E2 数据手册

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®
PROFET ITS 410 E2  
Smart Highside Power Switch  
for Industrial Applications  
Product Summary  
Overvoltage protection Vbb(AZ)  
65  
4.7 ... 42  
220  
V
V
Features  
V
Operating voltage  
bb(on)  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
On-state resistance  
Load current (ISO)  
Current limitation  
R
I
ON  
L(ISO)  
L(SCr)  
mΩ  
Current limitation  
1.8  
A
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
I
5
A
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Operating temperature Ta  
-30…+85 °C  
1
)
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
Open drain diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
PG-TO220AB/5  
•
•
•
•
•
5
5
Loss of ground and loss of V protection  
bb  
1
Straight leads  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
Standard  
Application  
•
µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads in industrial  
applications  
•
•
All types of resistive, inductive and capacitve loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions.  
+ V  
bb  
3
Voltage  
source  
Gate  
Overvoltage  
protection  
Current  
limit  
protection  
VLogic  
OUT  
Limit for  
Charge pump  
Level shifter  
Voltage  
sensor  
unclamped  
ind. loads  
5
Temperature  
sensor  
Rectifier  
IN  
2
4
Open load  
detection  
Load  
Logic  
ESD  
ST  
Short circuit  
detection  
PROFET  
GND  
1
Load GND  
Signal GND  
1
)
With external current limit (e.g. resistor R  
=150 Ω) in GND connection, resistors in series with IN and ST  
GND  
connections, reverse load current limited by connected load.  
Infineon Technologies AG  
1 of 15  
2006-Mar-28  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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ITS410E2HKSA1 INFINEON

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