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IST006N04NM6

更新时间： 2024-10-15 11:14:59

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电池
页数	文件大小	规格书
11页	1107K
描述
采用封装的OptiMOS™ 6 功率 MOSFET40V MOSFETsTOLL具有极低的 RDS(on) （0.60mOhm）和 475A 的高电流能力。英飞凌在强大的工业封装领域质量突出，是改进电池供电应用、电池保护和电池成型等各种性能的理想解决方案。

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IST006N04NM6 数据手册

IST006N04NM6

MOSFET

OptiMOS^TM6ꢀPower-Transistor,ꢀ40ꢀV

sTOLL

Features

6, Tab

•ꢀOptimizedꢀforꢀlowꢀvoltageꢀmotorꢀdrivesꢀapplication

•ꢀOptimizedꢀforꢀbatteryꢀpowerꢀapplications

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀRDS(on)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested

•ꢀSuperiorꢀthermalꢀperformance

•ꢀN-channel

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplatingꢀ:ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀ175°Cꢀrated

Drain

Pin 6, Tab

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 5

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Source

Pin 1-4

*1: Internal body diode

Parameter

Value

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

0.6

mΩ

475

137

127

Q_oss

Q_G(0V..10V)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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IST006N04NM6

sTOLL

6N04N6

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2020-06-18

12 3 4 5 6 7...11

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