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ISO7710FDR

更新时间: 2024-11-01 11:10:51
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
42页 1677K
描述
EMC 性能优异的单通道、增强型数字隔离器 | D | 8 | -55 to 125

ISO7710FDR 数据手册

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ISO7710  
ZHCSFQ7D NOVEMBER 2016 REVISED MARCH 2023  
EMC 性能优异ISO7710 高速单通道增强型数字隔离器  
1 特性  
3 说明  
100 Mbps 数据速率  
• 稳健可靠的隔离栅:  
ISO7710 器件是一款高性能单通道数字隔离器可提  
供符合 UL 1577 5000VRMS DW 和  
3000VRMSD 封装隔离额定值。此器件还通过了  
VDETUVCSA CQC 认证。  
1500VRMS 工作电压下预计寿命超100 年  
– 隔离等级高5000 VRMS  
– 浪涌能力高12.8 kV  
在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互  
补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时,  
ISO7710 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射同时  
具备低功耗特性。隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器由  
双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。如果输入功率  
或信号出现损失不带后缀 F 的器件默认输出高电  
带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信  
请参阅器件功能模部分。  
CMTI 典型值±100kV/μs  
• 宽电源电压范围2.25V 5.5V  
2.25V 5.5V 电平转换  
• 默认输出高电(ISO7710) 低电(ISO7710F)  
选项  
• 宽温度范围-55°C 125°C  
• 低功耗1Mbps 时的  
电流典型值1.7mA  
该器件与隔离式电源搭配使用有助于防止数据总线  
例如RS-485RS-232 CAN 或其他电路上的  
噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。凭借  
创新型芯片设计和布线技术ISO7710 器件的电磁兼  
容性得到了显著增强可缓解系统级 ESDEFT 和浪  
涌问题并符合辐射标准。ISO7710 器件可提供 16 引脚  
SOIC (DW) 8 SOIC (D) 封装。  
• 低传播延迟典型值11ns  
5V 电源)  
• 优异的电磁兼容(EMC)  
– 系统ESDEFT 和浪涌抗扰性  
– 在整个隔离栅具±8kV IEC 61000-4-2 接触放  
电保护  
– 低辐射  
• 宽SOIC (DW-16) 和窄SOIC (D-8) 封装选项  
• 提供汽车版本ISO7710-Q1  
• 安全相关认证  
器件信息  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
封装  
SOIC (D)  
4.90mm x 3.91mm  
10.30mm x 7.50mm  
ISO7710  
– 符DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标  
VDE 增强型绝缘  
SOIC (DW)  
V
V
CC2  
CC1  
Series Isolation  
Capacitors  
UL 1577 组件认证计划  
IEC 62368-1IEC 61010-1IEC 60601-1 和  
GB 4943.1 认证  
OUT  
IN  
2 应用  
工业自动化  
电机控制  
电源  
GND2  
GND1  
Copyright © 2019, Texas Instruments Incorporated  
光伏逆变器  
医疗设备  
简化原理图  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLLSER9  
 
 
 
 

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