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ISO5451QDWRQ1

更新时间： 2023-09-03 20:31:22
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
39页 1165K
描述
具有有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

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ISO5451QDWRQ1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.73高边驱动器：NO
接口集成电路类型：AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e4长度：10.3 mm
湿度敏感等级：2功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：5 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：2.65 mm最大压摆率：4.5 mA
最大供电电压：5.5 V最小供电电压：3 V
标称供电电压：5 V电源电压1-最大：30 V
电源电压1-分钟：15 V表面贴装：YES
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL断开时间：0.11 µs
接通时间：0.11 µs宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

ISO5451QDWRQ1 数据手册

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ISO5451-Q1  
ZHCSFJ8 –SEPTEMBER 2016  
ISO5451-Q1 具有有源安全特性的高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、  
MOSFET 栅极  
驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
•
适用于汽车电子 应用  
•
隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物  
半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：  
•
具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：  
–
–
–
–
–
混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块  
–
器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温  
度范围  
工业电机控制驱动  
工业电源  
–
–
器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A  
器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6  
太阳能逆变器  
感应加热  
•
在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最  
小值为 50kV/μs，典型值为 100kV/μs  
3 说明  
•
•
2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流  
ISO5451-Q1 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7  
kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有 2.5A 的拉电流能  
力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电  
源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。  
两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。  
76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。  
短暂传播延迟：76ns（典型值），  
110ns（最大值）  
•
•
•
2A 有源米勒钳位  
输出短路钳位  
在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并  
通过 RST 复位  
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何  
时处于过载状态。当检测到 DESAT 时，栅极驱动器输  
出会被拉低为 VEE2 电势，从而将 IGBT 立即关断。  
•
•
具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定  
(UVLO)  
有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下  
默认输出低电平  
器件信息(1)  
•
•
•
•
•
•
3V 至 5.5V 输入电源电压  
器件型号  
封装  
封装尺寸（标称值）  
15V 至 30V 输出驱动器电源电压  
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入  
抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声  
可承受的浪涌隔离电压达 10000VPK  
安全及管理认证：  
ISO5451-Q1  
SOIC (16)  
10.30mm x 7.50mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
功能方框图  
VCC1  
VCC2  
VCC1  
–
符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-  
10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 1420  
UVLO1  
UVLO2  
500 µA  
DESAT  
GND2  
INœ  
Mute  
9 V  
VPK VIORM 增强型隔离  
IN+  
–
–
符合 UL 1577 且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离  
VCC1  
VCC2  
CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC  
60601-1 终端设备标准  
RDY  
Gate Drive  
and  
Encoder  
Logic  
Ready  
OUT  
–
符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV  
认证  
VCC1  
FLT  
Decoder  
Q
Q
S
2 V  
Fault  
CLAMP  
VCC1  
R
–
–
GB4943.1-2011 CQC 认证  
RST  
已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进  
行 CSA 认证  
GND1  
VEE2  
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLLSEQ3  
 
 
 
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ISO5451QDWRQ1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ISO5451QDWQ1 TI

类似代替

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