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ISM001DR09P-80

更新时间: 2024-01-19 03:53:55
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 546K
描述
MEMORY MODULE,DRAM,FAST PAGE,1MX9,MOS,SIM,30PIN,PLASTIC

ISM001DR09P-80 技术参数

生命周期:Active包装说明:SIMM, SIM30
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
Is Samacsys:N最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PSMA-N30
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:9端子数量:30
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SIMM
封装等效代码:SIM30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
子类别:DRAMs最大压摆率:0.63 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ISM001DR09P-80 数据手册

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