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ISC046N13NM6

更新时间： 2024-05-23 22:23:13

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
11页	1170K
描述
The OptiMOS? 6 135 V MOSFET technology is a cost-efficient solution optimized for motor drives, but also adaptable for other applications such as UPS.

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ISC046N13NM6 数据手册

ISC046N13NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ135ꢀV

SuperSO8

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtestedg

•ꢀ175°Cꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀOptimizedꢀforꢀmotorꢀdrivesꢀandꢀbatteryꢀpoweredꢀapplications

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀMSLꢀ1ꢀclassifiedꢀaccordingꢀtoꢀJ-STD-020

Drain

Pin 5-8

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 4

Source

Pin 1-3

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

*1: Internal body diode

Parameter

Value

135

4.6

Unit

V_DS

R_DS(on),max

I_D

mΩ

142

112

Q_oss

Q_Gꢀ(0V...10V)

Q_rrꢀ(500A/µs)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

046N13N6

RelatedꢀLinks

ISC046N13NM6

PG-TDSON-8

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2023-10-16

12 3 4 5 6 7...11

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